40N120A
采用Trench FS/CSTBT技术,高功率密度
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HC 9621
高精度差分霍尔效应轮速传感器,高灵敏度
优异的温度稳定性和稳定的输出占空比
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HC3175
新型高温霍尔IC,陶瓷封装,最高耐温200℃
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2021-07-31华灿电子四川华灿电子有限公司,成立于2010年,是一家坐落于德阳经开区的国家高新技术企业,公司致力于传感器IC功率IC的研发、生产和销售,公司已推出位置传感器、速度传感器、齿轮传感器、功率IC等产品。。 华灿电子在经过几年的研发、沉淀后,对产品不断升级改造,降低了成本,提高了产品性能,打破了国外公司在该领域的垄断。尤其在高温霍尔集成传感器方面加大投入,陆续开发出多款创新产品。 在公司的成长过程中,我们得到了德阳市经开区、市工信局、科技局、市科协的大力支持,扶持完成了多个科技项目攻关。 据了解,目前,德阳市协同资源中心已整合4700余项科技成果、3000余项企业所需,在线上线下同步发布,为企业和科研院所提供成果评价、项目孵化、成果转移交易等6大服务。去年,中心共促成科技成果转化12项,形成效益1.1亿元。 今年,德阳借助成渝地区双城经济圈建设,入选中国科协“科创中国”第二批试点城市等战略机遇,推动新西兰皇家工程院院士、西华大学团队等在先进材料、装备制造方面的科技成果落地德阳,服务地方经济高质量发...
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2021-06-19华灿电子描述:由四川华灿电子作为项目承担单位,由中国科学院微电子研究所作为合作单位的四川省2019年重点科技计划项目:新型双磁极霍尔集成电路关键设计技术研究于本月参加结题答辩,完成项目验收。 项目名称:新型双磁极霍尔集成电路关键设计技术研究 立项经费:40万 财政局拨款:20万 完成情况:取得专利3项,发表国际学术论文2篇。通过了专家组的结题答辩,完成验收。 本项目研究基于双磁级响应霍尔器件产品开发需求,研究分析双磁级霍尔器件结构、工作机理,内部响应的物理特性变化,解决分析霍尔传感器产品设计开发的共性问题,进而揭示器件结构设计差异,理解研究磁响应效应、电路拓扑运算特性带来的功能差异,为产品设计给出指导性的设计原则。研究基于电磁物理场基础理论和机理分析,采用三维模拟和仿真技术、数模混合电路仿真技术,分别对霍尔片结构进行建模、实现器件结构的精准设计仿真拟合,掌握高精度霍尔片电压响应设计关键技术,高性能霍尔传感器电路关键技术难点,包括研究双稳态触发电路,稳压源,内部结电容,器件结构特性等多个方面。 通过本项目研...
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2018-06-01华灿电子四川华灿电子有限公司与中国科学院微电子研究所于本日签署了《新型霍尔传感器集成电路研制战略合作开发框架协议》。华灿电子与微电子所从2010年开始合作至今,共同完成了多项科研攻关项目,在霍尔IC与功率IC方面有着深入的合作。 中国科学院微电子研究所是国内微电子领域学科方向布局最完整的国立综合研究与开发机构,在微电子器件设计、制造、封装、测试、可靠性、装备研发和高可靠集成电路与功率器件技术方面取得了多项硅基半导体工艺研究的成果其中硅器件技术与集成中心是国内最早开展硅基CMOS器件、功率器件和霍尔传感器集成电路等研发的科研机构。 四川华灿电子有限公司长期致力于霍尔传感器产品的开发、应用方案、批量产品生产、封装测试、市场拓展销售等方向。目前已在霍尔传感器和功率IC领域建立了深厚的开发团队和市场销售渠道及产品加工供应链。其中在无刷电机市场已稳定批量供货多家一线品牌企业,包括小米,博世,爱玛,雅迪等。 双方拟充分利用乙方在产品应用方案,市场推广等经验,并结合甲方在硅基霍尔传感器集成电路产品的设计、工艺...